任职要求:
在国际知名高校工作,国家级青年人才项目入选者或相当水平,在科学研究方面取得国际公认的重大研究成果,具有申请重点研发、重点项目或重大仪器等项目的经验,在Nature和Science正刊或大子刊发表过论文,年龄不超过45岁。加入研究院后,同时叠加重庆市“新重庆引才计划”高校专项,在学校待遇(西南大学“聚贤工程”待遇标准表)基础上,叠加给予每人100万元科研项目、100万生活补助(免税),发放最高200万元的房票以及签证落户、医疗保障、配偶就业、子女教育、职称评审、执业资格、金融支持、交通出行等方面优质服务。
研究方向:
主要招聘但不限于以下方向:1.理论计算(第一性原理,分子动力学,微磁模拟,自旋电子学方向计算);2.球差透射电子显微镜技术,原位表征技术;3.第三代、第四代半导体晶圆制备与高性能器件开发;4.二维材料制备(CVD,CVT,MBE,PLD,ALD,MOCVD);5.自旋电子学,先进磁存储,磁传感,感存算一体化等器件;6.微纳加工技术、超净间;7.偏振光学、红外、深紫外传感等。
福利待遇:
含弘英オ岗安家补助250万科研资助200-600万薪酬待遇基本工资+绩效工资60万/年+重大成果奖励按照岗位类别享受优厚的安家费、科研启动费和个税减免待遇。提供良好的科研平台、实验场地、办公用房和公共服务空间等根据国家、省、市相关人才支持政策,学校将协助申请相应人才项目。学校拥有优质的基础教育资源,子女可直接就读西南大学附中(西南地区唯一的教育部直属重点师大附中)、附小、幼儿园(校内)享受重庆市人才医疗、金融、旅游和交通等专属服务,学校所在重庆市北碚区房价平均低于1万。研究院根据个人业绩额外追加奖励。