学历要求:博士研究生
薪资范围:面议
研究方向:
1. 碳化硅光电器件制备和表征
2. 碳化硅功率芯片及其基础材料的辐照效应研究
重点引进:
宽禁带半导体材料碳化硅的缺陷工程与杂质调控(满足其一即可)
方向1,探索碳化硅材料中缺陷与杂质的基本性质;
方向2,探索碳化硅材料中缺陷与杂质的检测方法;
方向3,探索碳化硅材料中缺陷与杂质的消除或钝化方法;
方向4,探索碳化硅材料的辐照效应和抗辐照研究。
岗位要求:
1.具有相关学科背景;近三年内获得博士学位,品学兼优,身心健康,年龄原则上不超过35周岁;
2.品学兼优,身心健康,具有良好的团队合作意识和较强的独立工作能力;
3.具备较强的独立科研能力、良好的敬业精神和团队合作精神。
4. 具有良好的英语听说读写能力;
5. 保证全职从事博士后研究工作。