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岗位职责： 1. 核心技术研发：主导或深度参与碳化硅（SiC）功率器件（如MOSFET、SBD等）的核心研发工作，涵盖器件结构设计、仿真优化、工艺开发及性能迭代，聚焦车规级、工业级应用场景的技术突破，解决研发过程中的关键技术瓶颈； 2. 项目全流程推进：负责碳化硅相关研发项目的规划与实施，制定详细的技术方案、研发计划及里程碑节点，统筹实验资源调配，跟踪项目进度并及时解决突发问题，确保项目按质按量完成； 3. 实验设计与数据分析：设计并执行碳化硅材料生长、外延制备、芯片制造等关键环节的实验，精准记录实验数据，运用专业工具进行数据分析与结果验证，形成完整的实验报告并提炼技术结论； 4. 专利与技术沉淀：基于研发成果主导或参与专利申请（发明专利为主），撰写高质量的专利申请书及相关技术文档；总结研发经验，参与构建公司碳化硅技术知识库，提升团队技术储备； 5. 跨团队协同：与工艺工程、生产制造、质量检测等团队紧密协作，将研发成果转化为可量产的技术方案，提供技术支持并优化生产工艺参数，保障产品性能稳定性与量产可行性； 6. 行业技术追踪：关注全球碳化硅领域的前沿技术动态、行业标准更新及市场需求变化，结合公司发展战略提出研发方向建议，推动技术创新与产品升级。 任职要求： 1.博士学历，微电子学与固体电子学、材料科学与工程、半导体物理与器件等相关专业，具备扎实的半导体理论基础，有半导体行业知名企业、高校重点实验室或科研院所碳化硅研发经历者优先； 2. 熟悉碳化硅材料的晶体结构、物理化学特性及功率器件的工作原理，对碳化硅器件的核心技术有深刻理解； 3.掌握半导体器件仿真工具（如Silvaco TCAD、Sentaurus、COMSOL等）或材料分析工具（如XRD、SEM、AFM等），具备熟练的操作与应用能力； 4.熟悉碳化硅器件制造工艺流程（如光刻、刻蚀、离子注入、金属化等），了解车规级半导体产品的认证标准（如AEC-Q101）者优先； 5.具备良好的实验设计能力、数据分析能力及问题解决能力，能快速定位并解决研发过程中的技术问题； 6.- 具备强烈的研发热情与创新精神，对技术探索有执着追求，能承受一定的研发压力； 7.拥有优秀的逻辑思维能力、书面及口头表达能力，能清晰撰写技术文档与汇报研发成果； 8. 具备良好的团队合作意识，能高效开展跨团队协同工作，主动沟通并推动问题解决。