理聘网-职位详情页，弘英才岗(半导体晶圆制备与高性能器件开发)

任职要求： 弘英才岗：在国际知名高校工作，国家级青年人才项目入选者或相当水平，在科学研究方面取得国际公认的重大研究成果，具有申请重点研发、重点项目或重大仪器等项目的经验，在Nature和Science正刊或大子刊发表过论文，年龄不超过45岁。 加入研究院后，同时叠加重庆市“新重庆引才计划”高校专项，在学校待遇（西南大学“聚贤工程”待遇标准表）基础上，叠加给予每人100万元科研项目、100万生活补助（免税），发放最高200万元的房票以及签证落户、医疗保障、配偶就业、子女教育、职称评审、执业资格、金融支持、交通出行等方面优质服务。 研究方向： 第三代、第四代半导体晶圆制备与高性能器件开发； 福利待遇： 弘英才岗： 安家补助：250W 科研资助：200W-600W 薪酬待遇：基本工资+绩效工资60W/年+重大成果奖励 其他： 按照岗位类别享受优厚的安家费、科研启动费和个税减免待遇。提供良好的科研平台、实验场地、办公用房和公共服务空间等根据国家、省、市相关人才支持政策，学校将协助申请相应人才项目。 学校拥有优质的基础教育资源，子女可直接就读西南大学附中(西南地区唯一的教育部直属重点师大附中)、附小、幼儿园(校内)享受重庆市人才医疗、金融、旅游和交通等专属服务，学校所在重庆市北碚区房价平均低于1万。 研究院根据个人业绩额外追加奖励。