理聘网-职位详情页，博士后（芯片化原子磁强计方向）

任职要求： （三）博士后研究人员 1.基本条件 （1）拥护中国共产党的领导，热爱祖国，遵纪守法，恪守学术道德和科研诚信； （2）具有强烈的创新意识、严谨的科研作风、高度的责任心和团队协作精神； （3）原则上不超过35周岁（特别优秀者可适当放宽）； （4）获得博士学位不超过3年（含应届博士毕业生）。 2.学历与资历要求 （1）海内外知名高校或科研机构博士学位； （2）近三年科研成果需满足以下条件之一： a.理工科（材料类除外）：以第一作者或通讯作者在本领域SCI一区/TOP期刊发表高水平论文≥3篇； b.材料类学科：以第一作者或通讯作者在本领域SCI一区/TOP期刊发表高水平论文≥5篇； （3）其他突出业绩（满足任意一项可适当放宽论文要求）： a.主持国家自然科学基金青年项目或省部级重点科研项目； b.作为第一发明人获授权发明专利≥2项，或实现关键技术转化并产生显著效益（需提供证明）； c.研究成果获得省部级科技奖励（排名前5），或同等层次学术荣誉； 3.优先考虑条件 （1）已达到博士后创新人才支持计划（博新计划）申报条件，或入选同层次人才计划者； （2）具有跨学科研究背景或国际知名研究机构连续一年以上研究经历者； （3）在重大科研项目或关键技术攻关中发挥核心作用，并取得突出业绩者 注：对在关键技术领域（如高端仪器研发、卡脖子技术攻关）有突出贡献者，可突破部分硬性条件限制。 （3）博士后岗位要求（满足其一即可）： ①具有扎实的量子精密测量原理及理论，具备微纳光子学、原子物理或量子精密测量仪器及传感器测试经验，并在此领域有原创性成果； ②具备扎实的半导体激光芯片、光电芯片、光芯片理论知识，并在此领域有原创性成果，拥有完整光学芯片流片经历者优先； ③具备扎实的光学机械理论，在多物理场耦合分析方面有原创性成果，有微型光机设计相关经验者优先。 研究方向： 重点招聘海内外优秀人才开展如下研究：①围绕多种芯片化原子磁强计开展基础理论研究，涵盖SERF原子磁强计、地磁环境适配的光泵式芯片磁强计、CPT磁强计、NMOR磁强计；②深入研究微观原子系综精密操控机制、多物理场耦合及干扰抑制机理、原子自旋弛豫与材料界面的相互作用规律，建立芯片结构与测量性能的基础理论关联模型；③突破传统磁强计微型化的理论局限，开展芯片化集成的基础理论创新，探索量子态调控抑制噪声的核心原理，为弱磁检测、生物磁成像、资源勘探、基础物理研究等领域提供技术支撑。微纳光学、物理、精密仪器、机械工程、光学工程、电子科学与技术、测控技术与仪器等相关专业博士学位 福利待遇： 参照国内外一流研究院所，为百里挑一的就职人才提供有国际竞争力的薪酬和福利待遇。对新引进符合条件的硕士、博士提供国际人才公寓。积极保障就职人才子女就学，重点人才重点保障，为就职人才解除后顾之忧。对人才落户、补贴申领、人才认定等，研究院将提供一站式服务，助力就职人才开启全新研究院生活。