任职要求:
(三)博士后研究人员
1.基本条件
(1)拥护中国共产党的领导,热爱祖国,遵纪守法,恪守学术道德和科研诚信;
(2)具有强烈的创新意识、严谨的科研作风、高度的责任心和团队协作精神;
(3)原则上不超过35周岁(特别优秀者可适当放宽);
(4)获得博士学位不超过3年(含应届博士毕业生)。
2.学历与资历要求
(1)海内外知名高校或科研机构博士学位;
(2)近三年科研成果需满足以下条件之一:
a.理工科(材料类除外):以第一作者或通讯作者在本领域SCI一区/TOP期刊发表高水平论文≥3篇;
b.材料类学科:以第一作者或通讯作者在本领域SCI一区/TOP期刊发表高水平论文≥5篇;
(3)其他突出业绩(满足任意一项可适当放宽论文要求):
a.主持国家自然科学基金青年项目或省部级重点科研项目;
b.作为第一发明人获授权发明专利≥2项,或实现关键技术转化并产生显著效益(需提供证明);
c.研究成果获得省部级科技奖励(排名前5),或同等层次学术荣誉;
3.优先考虑条件
(1)已达到博士后创新人才支持计划(博新计划)申报条件,或入选同层次人才计划者;
(2)具有跨学科研究背景或国际知名研究机构连续一年以上研究经历者;
(3)在重大科研项目或关键技术攻关中发挥核心作用,并取得突出业绩者
注:对在关键技术领域(如高端仪器研发、卡脖子技术攻关)有突出贡献者,可突破部分硬性条件限制。
(3)博士后岗位要求(满足其一即可):
①具有扎实的量子精密测量原理及理论,具备微纳光子学、原子物理或量子精密测量仪器及传感器测试经验,并在此领域有原创性成果;
②具备扎实的半导体激光芯片、光电芯片、光芯片理论知识,并在此领域有原创性成果,拥有完整光学芯片流片经历者优先;
③具备扎实的光学机械理论,在多物理场耦合分析方面有原创性成果,有微型光机设计相关经验者优先。
研究方向:
重点招聘海内外优秀人才开展如下研究:①围绕量子传感核心波段(795nm、780nm、894nm等)半导体激光芯片开展基础理论创新研究,探索不同构型芯片的光子调控核心机制与性能优化基础原理,涵盖DFB、DBR及VCSEL等典型构型;②聚焦半导体激光芯片领域核心基础科学问题,深入研究材料能带精细结构调控规律、光子噪声产生与抑制机理、光场传输及损耗本质特性,构建芯片性能与量子传感应用需求的基础理论匹配模型③基于量子传感对光源线宽、噪声水平的严苛要求,开展创新型光芯片设计的基础原理研究,探索材料优化、结构创新等技术路径的理论支撑,为量子传感系统核心光源的基础理论突破提供支撑。
微纳光学、物理、精密仪器、机械工程、光学工程、电子科学与技术、测控技术与仪器等相关专业博士学位。
福利待遇:
参照国内外一流研究院所,为百里挑一的就职人才提供有国际竞争力的薪酬和福利待遇。对新引进符合条件的硕士、博士提供国际人才公寓。积极保障就职人才子女就学,重点人才重点保障,为就职人才解除后顾之忧。对人才落户、补贴申领、人才认定等,研究院将提供一站式服务,助力就职人才开启全新研究院生活。