理聘网-职位详情页，博士后(先进半导体材料)

任职要求： 1.获得博士学位不超过3年或即将获得博士学位。2.原则上年龄不超过35周岁。3.具有扎实的研究基础和较强的科研能力,严谨的科学态度和团队协作精神。 研究方向： 研发重点:围绕光刻技术发展对先进光刻材料的需求,开展新型高性能材料、先进光刻工艺等研究。招聘方向:高分子合成与表征、树脂设计及合成、高纯电子化学品纯化、小分子材料合成、光刻材料配方工艺、薄膜材料先进表征、材料计算化学。 福利待遇： 1.提供具有竞争力的薪酬待遇，入站博士后年收入40万元起。2.博士后纳入职工福利体系保障范围,包括补充医疗保险、补充公积金、子女就学和入站落户等。实验室可协调园区周边保障性租赁住房实现入站博士后拎包入住、即来即住、优惠入住。3.博士后实行3年在站聘期制,出站优先录用至实验室事业编制聘用科研岗位。博士后出站留任实验室工作或在浦东新区工作的可再享受区级就业资助10万元。