任职要求:
1.海内外高水平大学或研究机构博士毕业(毕业一般不超过4年),或者博士后科研流动站(工作站)出站的博士后研究人员。2.年龄不超过35周岁,具备良好的学术背景、创新能力和学术潜力,能够独立开展科研工作。3.符合国家及学校博士后招聘的有关要求。4.具有参加国家级项目或指导学生经验者优先。具备半导体芯片和MEMS硅基芯片流片经验,熟悉离子注入、微纳加工、芯片封装等工艺,掌握半导体芯片仿真以及器件的光学、电学测试;对半导体器件(含MEMS器件)设计与制造充满兴趣。应聘者需具备较强的研究能力,拥有相关学术成果者优先考虑。
研究方向:
集成电路、光电器件和MEMS器件等相关领域
福利待遇:
1.针对具有创新能力和发展潜力的青年人才,提供年薪35万元起,上不封顶的优厚待遇(可协助申请省、市补助)。2.根据学校政策,可协助办理在京或在深圳落户、子女入托入学等事宜;提供博士后公寓,条件优越,拎包入住,优秀者有机会留校,转入教研岗工作。