任职要求:
1.对接客户的隧穿磁阻传感器代工需求,设计、开发新工艺,组织和跟进各部门完成工艺实验、工程样片流片,持续提升性能、良率,推进工艺节点演进;
2.拟定隧穿磁阻传感器先导工艺流片方案,协调各部门完成工艺参数整合设置,确定工艺全流程;
3.熟练操作MES系统,负责投片、设置runcard等,监控流片进度、工艺关键参数;
4.分析和整理关键工艺参数、器件电性能,定位失效因素,并提出改进方案,进行工艺优化;
5.协调各部门分析技术问题,推动工艺优化,协助完成新设备、新材料和新制程技术的评估和验证;
1、教育背景:研究生及以上学历;
2、专业要求:物理、微电子、材料等半导体微纳工艺、集成电路相关专业,细分专业为磁传感器方向优先;
3、经验要求:有晶圆代工厂或IDM厂工艺整合工程师的工作经历,熟悉Foundry生产流程,工作两年或以上。
4、熟悉磁传感器相关原理,例如各向异性磁阻、巨磁阻、隧穿磁阻传感器;
5、了解基本的版图知识,有基础的版图绘制能力。
6、熟悉磁传感器工艺或者通用工艺能力,例如MTJ结刻蚀工艺、光刻、薄膜沉积、常规刻蚀工艺;
7、熟悉磁传感器的常用电路,例如惠斯通桥式电路;
8、熟悉磁传感器的测试方法,或者通用WAT测试原理。
9、具有大量数据分析能力,具备故障分析能力,善于发现和解决问题,掌握通用办公软件,熟练使用数据统计分析软件如JMP、origin等;会使用MES系统;
10、拥有英文基础,具备良好的阅读理解和表达能力,CET4~6;
11、责任心强,时间观念佳,执行力强,具有良好的学习能力和团队协作精神。
研究方向:
物理、微电子、材料等半导体微纳工艺、集成电路相关专业,细分专业为磁传感器