任职要求:
在海内外高水平大学或研究机构获得博士学位;具有国际高水平大学助理教授相当学术水平,或海内外龙头企业总工程师、副总工程师、技术总监等职位相当水平;能独立发展一个学术或工程技术方向,有潜力成长为学术或技术带头人;年龄一般在35周岁左右,特别优秀者可适当放宽;具有物理、材料、微电子、电气工程、化学等方向坚实的专业基础和较深的学术造诣,对宽禁带半导体材料与器件研究领域有足够的学科背景支持和较好的研究积累与想法,从事过交叉学科研究者优先考虑;有宽禁带半导体材料与器件领域院士或国际知名专家推荐者优先考虑。
研究方向:
1MEMS(包括但不限于以下方向):
薄膜体声波谐振器(FBAR)技术、声表面波(SAW)技术、射频有源无源异质异构单片集成技术、5G/6G射频滤波器开发及产业化等。4电子科学与技术、微电子、物理、材料、通信等相关专业
福利待遇:
(1)提供有竞争力的市场化薪酬,具体一人一议;
(2)符合条件者可享受科创中心人才房政策;
(3)提供300万+科研资助;
(4)提供良好的办公环境和充足的研究空间;
(5)可兼聘至浙江大学相关院系,领域资深专家担任职业导师;
(6)提供“专人一站式”服务,共享科创中心大型仪器设备;
(7)符合条件者可享受杭州市、萧山区相应人才政策,协助申请地方政府人才配套用房;
(8)符合相关要求的,可申请浙江大学长聘/预聘教职岗位。