理聘网-职位详情页，博士后(功率芯片)

任职要求： 近三年内获得博士学位，身心健康，年龄不超过35周岁；具有相关学科背景；有较强的团队合作意识和独立科研工作能力；具备良好的英语听说读写能力；能够全职从事博士后工作，无博士后退站经历。 研究方向： 1.宽禁带半导体器件（包括但不限于以下方向）： 碳化硅功率器件、氮化镓功率器件、氧化镓功率器件、其他宽禁带功率器件、单芯片集成技术、多芯片集成技术、芯片散热技术、能量收集技术、宽禁带传感技术芯片、其他宽禁带技术等。6.物理、材料、微电子、电气工程、化学等相关专业 福利待遇： （1）根据科研工作能力提供具有竞争力的薪酬（含地方政府人才补助），具体面议（应届博士毕业生另可获得杭州市应届生生活补贴10万元）； （2）对获得中国博士后科学基金资助和省级博士后科研项目资助的，杭州市、萧山区分别给予相应配套资助； （3）参与科创中心重大课题研究并取得显著成绩的，可获得额外资助或津贴； （4）提供一流的实验与科学研究条件； （5）协助申请杭州市、萧山区人才配套用房； （6）工作期间表现优秀、业绩突出者，如符合相应要求，可优先推荐申请科创中心“求是科创学者”岗位或技术开发岗位； （7）在站期间，符合条件者可申报科创中心相关系列高级专业技术职务；出站优秀者入职科创中心的可认定副研究员职称，并可获得地方政府80万人才补贴；