理聘网-职位详情页，攻坚人才(半导体材料)

任职要求： 教育部“奖励计划”获得者、国家杰出青年科学基金获得者或相当水平的海内外领军学者。 研究方向： 1.宽禁带半导体材料（包括但不限于以下方向）： 碳化硅单晶的生长、碳化硅薄膜的外延、碳化硅中的杂质和缺陷、碳化硅的电化学、碳化硅的表面及界面、碳化硅的新颖原型器件、氮化镓薄膜的外延、半导体金刚石单晶薄膜的生长、氧化镓单晶的生长、氧化镓中的杂质和缺陷、宽禁带半导体材料与二维材料的前沿交叉、宽禁带半导体材料的制备和加工设备。3.物理、材料、微电子、电气工程、化学等相关专业 福利待遇： （1）提供有竞争力的市场化薪酬，具体一人一议； （2）符合条件者可享受科创中心人才房政策； （3）提供500-1200万科研资助； （4）提供150m2+办公、科研用房； （5）提供“专人一站式”服务，共享科创中心大型仪器设备； （6）符合条件者可享受杭州市、萧山区相应人才政策，协助申请人才配套用房； （7）符合相关要求的，可申请浙江大学长聘教职岗位。