理聘网-职位详情页，顶尖人才（半导体材料）

任职要求： 中国科学院和工程院院士、发达国家院士、诺贝尔奖获得者、国际大奖获得者或相当水平的海内外顶尖学者。 研究方向： 1.宽禁带半导体材料（包括但不限于以下方向）： 碳化硅单晶的生长、碳化硅薄膜的外延、碳化硅中的杂质和缺陷、碳化硅的电化学、碳化硅的表面及界面、碳化硅的新颖原型器件、氮化镓薄膜的外延、半导体金刚石单晶薄膜的生长、氧化镓单晶的生长、氧化镓中的杂质和缺陷、宽禁带半导体材料与二维材料的前沿交叉、宽禁带半导体材料的制备和加工设备。2.物理、材料、微电子、电气工程、化学等相关专业 福利待遇： 科创中心为顶尖人才及其创新团队提供充足科研资助和有竞争力的薪酬保障，采取“一人一议、一事一议”的方式。