学历要求:博士研究生
薪资范围:面议
重点引进方向:
1.宽禁带半导体材料(包括但不限于以下方向)
(1)碳化硅单晶的生长
(2)碳化硅薄膜的外延
(3)碳化硅中的杂质和缺陷
(4)碳化硅的电化学
(5)碳化硅的表面及界面
(6)碳化硅的新颖原型器件
(7)氮化镓薄膜的外延
(8)半导体金刚石单晶薄膜的生长
(9)氧化镓单晶的生长
(10)氧化镓中的杂质和缺陷
(11)宽禁带半导体材料与二维材料的前沿交叉
(12)宽禁带半导体材料的制备和加工设备
2.宽禁带半导体器件(包括但不限于以下方向)
(1)碳化硅功率器件
(2)氮化镓功率器件
(3)氧化镓功率器件
(4)其他宽禁带功率器件
(5)单芯片集成技术
(6)多芯片集成技术
(7)芯片散热技术
(8)射频功率芯片技术
(9)能量收集技术
(10)宽禁带传感技术芯片
(11)其他宽禁带技术等
2.封装测试和应用(包括但不限于以下方向)
(1)功率器件的封装
(2)射频器件的封装
(3)其他相关器件的封装
(4)模块集成
(5)测试技术和应用技术
任职资格:
专业方向: 物理、材料、微电子、电气工程、化学等。
有坚实的专业基础和较深的学术造诣,具备作为独立PI开展研究工作的能力,有潜力成长为学术或技术带头人,如国际高水平大学副教授/助理教授、业绩突出博士后,或海内外龙头企业总工程师、副总工程师、技术总监等,以及相当水平的海内外青年人才。年龄原则上学术类不超过35周岁(特别优秀者可放宽至38周岁),技术类不超过38周岁(特别优秀者可放宽至40周岁),全职聘为科创“百人计划”研究员,纳入浙江大学平台“百人计划”研究员队伍体系;