任职要求:
申报条件
1.具有远大学术志向、创新精神、较强科研能力和社会责任感;
2.具有博士学位,年龄原则上不超过35周岁,特别优秀者年龄可适当放宽;
3.具有物理、材料、微电子、电气工程、化学等方向坚实的专业基础和较深的学术造诣,对宽禁带半导体材料与器件研究领域有足够的学科背景支持和较好的研究积累与想法,从事过交叉学科研究者优先考虑;
4.具备以独立PI开展研究工作的能力;
5.有宽禁带材料与器件领域院士或国际知名专家推荐者优先考虑。
1.宽禁带半导体材料及装备(碳化硅、氮化镓、氧化镓、氮化铝和金刚石等);
2.宽禁带半导体器件(基于碳化硅和氮化镓等材料的功率器件、射频器件、芯片集成技术及其他相关技术);
3.封装测试和应用(功率器件、射频器件及其他器件相关的封装、模块集成、测试技术和应用技术)。
研究方向:
封装测试和应用(功率器件、射频器件及其他器件相关的封装、模块集成、测试技术和应用技术)
福利待遇:
1.提供有竞争力的薪酬保障(一人一议),符合条件的人才可同步享受杭州市和萧山区相应的人才政策;
2.为入选者及其团队成员提供人才公寓,符合条件者可享受杭州科创中心人才房政策;
3.提供首期(3年)300-500万元的科研资助(可持续滚动资助);
4.提供良好、充足的办公实验空间;
5.提供“专人一站式”服务,共享科研平台大型仪器设备;
6.入选者中科研业绩突出且符合浙江大学人才标准的,可推荐聘至浙江大学;
7.入选者符合杭州市高层次人才标准的,可协助解决子女入园入托问题。