理聘网-职位详情页，磁性隧道结制备工艺（自旋电子学）

任职要求： 1.年龄35周岁以下(特别优秀者可放宽至40周岁),在国内外顶尖高校/知名研究机构获博士学位; 2.具有磁控溅射/大型超高真空系统制备MTJ或磁性多层膜的系统经验，在自旋电子学/磁学/器件方向有突出的代表性成果。 1.开展磁性隧道结(MTJ)制备工艺与相关超高真空设备研发; 2.协助方向负责人推进项目布局、技术攻关、平台建设等内容; 3.完成团队交办的其他科研与平台管理任务。 研究方向： 磁控溅射/大型超高真空系统制备MTJ或磁性多层膜的系统经验，在自旋电子学/磁学/器件方向 福利待遇： 有竞争力的薪酬: 博士年薪30-50万;硕士年薪20-35万; 特别优秀者一事-议; 叠加南京市浦口区等各级人才津贴或资助。 优质科研条件: 具备原子级制造与自旋芯片的一-流科研平台和充足稳定的经费支持; 与南京大学、全国重点实验室及产业界深度合作。 快速发展通道: 优先推荐申报各级人才项目和各类科研项目; 纳入研究所科研评聘体系; 特别优秀者将争取落实事业编制。 配套政策保障: 提供过渡人才公寓保障，协助解决子女入学等生活需求; 提供五险一金、节日福利等相关待遇。