任职要求:
1、具有微电子、电气、信电、光电、材料等相关专业研究背景。
2、近三年内获得博士学位或入职前可以获得博士学位,以第一作者发表过SCI文章。
3、对科研工作有浓厚的兴趣,有较强科研素养和英文读写能力。
4、具备较强的独立科研能力、良好的敬业精神和团队合作精神。
5、年龄在35周岁及以下,身心健康,可全职从事博士后研究工作。1、碳化硅MOSFET器件:碳化硅平面栅MOSFET、碳化硅沟槽栅MOSFET、关键工艺制造技术、大电流芯片研制技术;
2、新型碳化硅功率器件:碳化硅浮空结/超级结器件、碳化硅功率集成器件、高压大功率碳化硅器件;
3、碳化硅功率器件辐射效应与抗辐射加固:碳化硅功率器件辐射效应机理、抗辐射加固结构设计与工艺制造方法。
研究方向:
微电子、电气、信电、光电、材料等相关专业
福利待遇:
1、具体面议,同时可享受地方政府免税人才补助15万元/年(外籍人才可享受17.5万元/年。);应届博士毕业生,符合条件者可额外享受10万元杭州市应届生人才补贴。
2、提供一流的实验与科学研究条件,共享浙江大学顶尖学术生态体系。
3、提供专项科研经费支持;对获得中国博士后科学基金资助和省级博士后科研项目资助的,分别给予相应配套资助和奖励;对生源优秀或取得标志成果的博士后,给予额外奖励(相关奖励可叠加)。
4、符合条件的,可申报博士后海外引才专项,享受三年生活补助和安家费相关政策。
5、表现优秀、业绩突出者,如符合相应要求,可优先推荐申请科创中心青年人才、技术研发等岗位。
6、在站期间,符合条件者可申报科创中心相关系列高级专业技术职务;出站优秀者入职科创中心的可认定副研究员职称,并可获得地方政府80万人才补贴。
7、出站后留杭或萧山工作的,可申请杭州市D类人才或萧山区政府相应人才政策。
8、符合条件者可享受科创中心人才房政策。
9、协助解决子女教育入学、办理落户、政府人才配套用房申请、人才项目申报、人才认定等。
10、提供一流的科研条件和博士后联谊会交流平台,享受园区一站式保障服务,如食堂、健身房、体育馆等。