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理聘网-职位详情页,博士后(电气)

博士后(电气)
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地点图标 杭州
工作经验图标 经验不限
教育经历图标 博士
职位描述
电子科学与技术
任职要求: 1、具有微电子、电气、信电、光电、材料等相关专业研究背景。 2、近三年内获得博士学位或入职前可以获得博士学位,以第一作者发表过SCI文章。 3、对科研工作有浓厚的兴趣,有较强科研素养和英文读写能力。 4、具备较强的独立科研能力、良好的敬业精神和团队合作精神。 5、年龄在35周岁及以下,身心健康,可全职从事博士后研究工作。1、碳化硅MOSFET器件:碳化硅平面栅MOSFET、碳化硅沟槽栅MOSFET、关键工艺制造技术、大电流芯片研制技术; 2、新型碳化硅功率器件:碳化硅浮空结/超级结器件、碳化硅功率集成器件、高压大功率碳化硅器件; 3、碳化硅功率器件辐射效应与抗辐射加固:碳化硅功率器件辐射效应机理、抗辐射加固结构设计与工艺制造方法。 研究方向: 微电子、电气、信电、光电、材料等相关专业 福利待遇: 1、具体面议,同时可享受地方政府免税人才补助15万元/年(外籍人才可享受17.5万元/年。);应届博士毕业生,符合条件者可额外享受10万元杭州市应届生人才补贴。 2、提供一流的实验与科学研究条件,共享浙江大学顶尖学术生态体系。 3、提供专项科研经费支持;对获得中国博士后科学基金资助和省级博士后科研项目资助的,分别给予相应配套资助和奖励;对生源优秀或取得标志成果的博士后,给予额外奖励(相关奖励可叠加)。 4、符合条件的,可申报博士后海外引才专项,享受三年生活补助和安家费相关政策。 5、表现优秀、业绩突出者,如符合相应要求,可优先推荐申请科创中心青年人才、技术研发等岗位。 6、在站期间,符合条件者可申报科创中心相关系列高级专业技术职务;出站优秀者入职科创中心的可认定副研究员职称,并可获得地方政府80万人才补贴。 7、出站后留杭或萧山工作的,可申请杭州市D类人才或萧山区政府相应人才政策。 8、符合条件者可享受科创中心人才房政策。 9、协助解决子女教育入学、办理落户、政府人才配套用房申请、人才项目申报、人才认定等。 10、提供一流的科研条件和博士后联谊会交流平台,享受园区一站式保障服务,如食堂、健身房、体育馆等。
工作地点
杭州
浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院
地点图标地点圆形图片
单位简介
基本介绍 浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院紧紧围绕国家重大战略需求和浙江省战略性新兴产业发展布局,以数字化改革为引领,以宽禁带半导体材料、功率芯片和射频芯片的研发与产业化为核心,以封装测试和应用技术作为服务支撑,拥有国际一流的大型仪器设备和超净实验室等研发设施,目前已获批浙江省宽禁带功率半导体材料与器件重点实验室,国内唯一的全链条开放式宽禁带半导体材料、器件及应用创新高能级科研平台。 研究院由杨德仁院士担任首席科学家,郑有炓院士担任学术委员会主任,盛况教授担任院长,整合浙江大学电气学院、材料学院、信电学院以及上下游相关企业力量,着力打造第三代半导体研发、制造、应用和测试评价全产业链的新格局,驱动浙江省、长三角地区的第三代半导体产业的发展与转型,以硬核科技成果支撑浙江省乃至全国相关战略产业发展,提高我国在宽禁带半导体领域的国际竞争力和影响力。
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