学历要求:博士研究生
薪资范围:面议
研究方向:
1. 半导体氧化镓材料的缺陷研究,理论计算
2. 半导体氧化镓材料的同质外延生长
3. 半导体氧化镓材料的掺杂的理论计算
4. 半导体的力学性能研究
需求专业:半导体材料;氧化镓材料。
重点引进方向:
宽禁带半导体材料氧化镓相关研究(有半导体材料研究经验者即可)
方向1: 探索氧化镓材料中缺陷与杂质的基本性质
氧化镓生长过程中会产生位错,孪晶等多种缺陷,需要对这些缺陷的基本性质进行表征并阐明其机理。
方向2:探索氧化镓材料的掺杂与电学性能
优化掺杂元素种类、浓度等,调控材料电学性能。
方向3:探索氧化镓材料同质外延生长
探索氧化镓材料同质外延生长机理,提高外延薄膜质量
岗位要求:
1.具有相关学科背景;近三年内获得博士学位,品学兼优,身心健康,年龄原则上不超过35周岁;
2.品学兼优,身心健康,具有良好的团队合作意识和较强的独立工作能力;
3.具备较强的独立科研能力、良好的敬业精神和团队合作精神。
4. 具有良好的英语听说读写能力;
5. 保证全职从事博士后研究工作。