理聘网-职位详情页，博士后(ScAlN/GaN异质结的外延生长与功率射频HEMT器件研究；)

任职要求： 1. 岗位职责 从事III族氮化物MBE生长动力学研究以及器件制备、性能分析 2. 岗位要求 （1）已获得或即将获得电子信息、应用物理、微电子等相关学科博士学位，有III-V族化合物半导体材料与器件研制背景者优先考虑； （2）在相关知名国际刊物以第一作者发表过学术论文，有良好的英文读写能力和独立科研能力； （3）身心健康，热爱科研，有良好的团队协作能力和沟通能力，工作严谨认真负责，自学能力强； （4）办事认真踏实，有责任感，有团队沟通能力。研究方向ScAlN/GaN异质结的外延生长与功率射频HEMT器件研究； 研究方向： ScAlN/GaN异质结的外延生长与功率射频HEMT器件研究； 福利待遇： 薪酬待遇 固定薪酬： 博士后在站期间，固定薪酬28万元起，特别优秀者固定薪酬58万元起，另加奖励绩效。 可争取的其他个人补贴：  （1）入选江苏省卓越博士后计划，可获得50万元/30万元/20万元人才津贴。 （2）入选博新计划，可获得32万元生活补贴。 （3）入选中国科学院特别研究助理资助项目或研究所“优秀博士后计划”，可获得12万元人才津贴。 （4）获得中国博士后科学基金面上资助和特别资助（项目经费8-18万元），分别给予2万元、5万元补贴。 福利待遇： 在站期间可参加副高级岗位晋升，通过评审可聘为副高级岗位（入编）；可申请各类科研项目；可获得公派出国深造的机会；同时享有人才优购（公积金贷款2-3倍）、协助子女入学等待遇； 出站留苏30万元安家补贴。