理聘网-职位详情页，碳化硅中的杂质与缺陷研究岗

任职要求： 1.已获得或即将获得物理、材料、微电子、光电等相关专业的博士学位； 2.品学兼优，身心健康，具有良好的团队合作意识和较强的独立工作能力； 3.近三年内以第一作者或通讯作者发表2篇以上高质量研究论文或专利。 研究方向： 研究方向： 1.碳化硅单晶生长和加工过程中，缺陷(如点缺陷、位错、层错和晶界)的产生和演变机理； 2.碳化硅单晶衬底的热处理和其中的位错调控； 3.碳化硅同质外延过程中，缺陷(如点缺陷、位错、层错和表面缺陷)的动力学调控； 4.碳化硅外延薄膜的热处理，及其中的杂质与缺陷调控等。 福利待遇： 1.综合年薪35-45万元（含政府配套的15万元生活补贴）； 2.博士后可按规定申请杭州市高层次人才认定，并享受相应补贴 3.应届博士额外享受10万元生活及租房补贴； 4.符合杭州市有关规定的，协助解决杭州市集体户口； 5.博士后出站留萧山工作者，可享受80万元安家补贴或100万元购房补贴