任职要求:
1.已获得或即将获得物理、材料、微电子、光电等相关专业的博士学位;
2.品学兼优,身心健康,具有良好的团队合作意识和较强的独立工作能力;
3.近三年内以第一作者或通讯作者发表2篇以上高质量研究论文或专利。
研究方向:
研究方向:
1.碳化硅单晶生长过程中的热场仿真及流场仿真;
2.碳化硅单晶生长过程的生长动力学研究;
3.碳化硅单晶生长和加工;
4.碳化硅单晶的高效掺杂,和杂质与缺陷控制等。
福利待遇:
1.综合年薪35-45万元(含政府配套的15万元生活补贴);
2.博士后可按规定申请杭州市高层次人才认定,并享受相应补贴
3.应届博士额外享受10万元生活及租房补贴;
4.符合杭州市有关规定的,协助解决杭州市集体户口;
5.博士后出站留萧山工作者,可享受80万元安家补贴或100万元购房补贴