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理聘网-职位详情页,特别研究助理(新结构3DNAND闪存器件研究)

特别研究助理(新结构3DNAND闪存器件研究)
30-40W/年
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地点图标 北京
工作经验图标 经验不限
教育经历图标 博士
职位描述
电子科学与技术
集成电路科学与工程
物理学
任职要求: 学历要求博士。1.熟悉系统的设计、开发和集成。2.熟悉控制软件的设计和开发。3.有导处理、数值分析、运动控制等实时算法开发。4.协助开展利用项目申报、实施、结题等工作。5.协助开展电控系统关键技术开发,撰写相关文档。6.专利、软件著作权和学术论文的申请和发表。 研究方向: 专业方向:微电子学与固体物理学、应用物理学、电子科学与技术、集成电路 福利待遇: ·事业平台:提供完备的科研条件,积极推荐并协助申请“博新计划”、中科院特别研究助理资助项目等。 ·薪酬待遇:年薪一般为30-40万元,特别优秀者可按一人一策原则确定,上不封顶。 ·福利保障:提供人才公寓(可拎包入住),协助解决子女入学,享六险两金、带薪年假、职工食堂、年度体检等。 ·职业发展:特别研究助理期满,可申请事业编制岗位,特别优秀的可申报中国科学院人才计划,科研经费支持最高可达800万;通过博士后渠道解决配偶子女北京市户口。
工作地点
北京
中国科学院微电子研究所新技术开发部存储器实验室
地点图标地点圆形图片
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