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任职要求： 在知名高校取得博士学位，在所从事的研究领域取得系统性、创新性研究成果,具有广泛的国际学术影响力,近5年在国际顶尖期刊发表过论文，具有大项目申报经验。申请人有申报国家级青年人才潜力，年龄原则上不超过40周岁。 研究方向： 1.理论计算（第一性原理，分子动力学，微磁模拟，自旋电子学方向计算）； 2.球差透射电子显微镜技术，原位表征技术； 3.第三代、第四代半导体晶圆制备与高性能器件开发； 4.二维材料制备（CVD，CVT，MBE，PLD，ALD,MOCVD）； 5.自旋电子学，先进磁存储，磁传感，感存算一体化等器件； 6.微纳加工技术、超净间； 9.偏振光学、红外、深紫外传感等。 福利待遇： 基本工资+绩效工资+重大成果奖励