岗位职责:
1. 负责硅基衬底上GaN外延生长工艺开发与优化,提升6寸/8寸晶圆良率至95%以上;
2. 主导MOCVD设备日常维护与参数调试,确保设备利用率达90%以上;
3. 分析外延片缺陷问题,建立标准化解决方案;
4. 编写工艺技术文档,完成每月至少2次技术报告输出。
任职要求:
1. 材料/物理/微电子专业,本科及以上学历,3年以上GaN-on-Si外延开发经验;
2. 精通6寸/8寸MOCVD设备操作,熟悉Aixtron/Veeco机型优先;
3. 掌握XRD、PL、AFM等表征手段,具备数据分析能力;
4. 能承受研发压力,适应加班情况。
福利待遇:
1. 薪酬:15到28千/月,14薪;
2. 五险一金;
3. 定期体检;
4. 带薪年假;
5. 单双休。