岗位职责:
1.负责硅基衬底上GaN外延生长工艺开发与优化,提升6寸/8寸晶圆良率至95%以上;
2.主导MOCVD设备日常维护与参数调试,确保设备利用率达90%以上;
3.分析外延片缺陷问题,建立标准化解决方案;
4.编写工艺技术文档,完成每月至少2次技术报告输出。
任职要求:
1.材料/物理/微电子专业,本科及以上学历,3年以上GaN-on-Si外延开发经验;
2.精通6寸/8寸MOCVD设备操作,熟悉Aixtron/Veeco机型优先;
3.掌握XRD、PL、AFM等表征手段,具备数据分析能力;
4.能承受研发压力,适应加班情况。