任职要求:
1. 岗位职责:负责GAA/CFET器件高密度集成工艺研发,完成精细图形定义与结构形成的关键工艺与集成技术开发,结合DTCO技术,实现三维器件的合理布局,在单位面积内实现GAA/CFET器件的高密度集成。
2. 岗位要求:1.具有半导体器件与工艺研究经历,熟悉先进集成电路器件与工艺进展;2.具有光刻和刻蚀等相关工艺经验优先;3.硕士及以上学历。(一)具有良好的政治素质和道德品行;(二)符合招聘岗位所需的学历学位、专业或技能条件(扫描二维码下载)(三)学风端正,科学态度严谨,爱岗敬业;(四)具有正常履行职责的身体条件和心理素质;(五)按中科院有关规定执行亲属回避制度。
福利待遇:
(一)科研、支撑岗位
·事业平台:提供一流的科研平台,广阔的发展空间,积极推荐并协助申请基金委青年基金、优青项目、中科院青促会会员等。
·薪酬待遇:提供有竞争力的薪酬待遇。
·福利保障:为符合条件的职工解决本人、配偶及子女北京市户口,可申请人才公寓,协助解决子女入学,享六险两金、带薪年休假、职工食堂、年度体检等。
·职业发展:配套完善的职业发展体系和培训体系,提供出国留学和海外名校访问、深造机会,畅通的岗位晋升通道。
(二)中国科学院特别研究助理岗位(博士后)
·事业平台:提供完备的科研条件,积极推荐并协助申请“博新计划”、中科院特别研究助理资助项目等。
·薪酬待遇:年薪一般为30 - 40万元,特别优秀者可按一人一策原则确定,上不封顶。
·福利保障:提供人才公寓(可拎包入住),协助解决子女入学,享六险两金、带薪年假、职工食堂、年度体检等。
·职业发展:特别研究助理期满,可申请事业编制岗位,特别优秀的可申报中国科学院人才计划,科研经费支持最高可达800万;通过博士后渠道解决配偶子女北京市户口。