理聘网-职位详情页，三维逻辑器件及源漏工程技术研发

任职要求： 1. 岗位职责：负责单片CFET器件垂直源漏选择性外延生长与缺陷抑制机理研究，设计和优化集成工艺流程，完成源漏外延质量提升与应力调控优化，实现CFET器件源漏电阻降低与器件性能提升。 2. 岗位要求：具有半导体器件与工艺研究经历，熟悉先进集成电路器件与工艺进展；具有外延相关工艺经验优先；硕士及以上学历。 3. 具有良好的政治素质和道德品行； 4. 符合招聘岗位所需的学历学位、专业或技能条件（扫描二维码下载） 5. 学风端正，科学态度严谨，爱岗敬业； 6. 具有正常履行职责的身体条件和心理素质； 7. 按中科院有关规定执行亲属回避制度。 福利待遇： 1. 科研、支撑岗位： · 事业平台：提供一流的科研平台，广阔的发展空间，积极推荐并协助申请基金委青年基金、优青项目、中科院青促会会员等。 · 薪酬待遇：提供有竞争力的薪酬待遇。 · 福利保障：为符合条件的职工解决本人、配偶及子女北京市户口，可申请人才公寓，协助解决子女入学，享六险两金、带薪年休假、职工食堂、年度体检等。 · 职业发展：配套完善的职业发展体系和培训体系，提供出国留学和海外名校访问、深造机会，畅通的岗位晋升通道。 2. 中国科学院特别研究助理岗位(博士后)： · 事业平台：提供完备的科研条件，积极推荐并协助申请“博新计划”、中科院特别研究助理资助项目等。 · 薪酬待遇：年薪一般为30 - 40万元，特别优秀者可按一人一策原则确定，上不封顶。 · 福利保障：提供人才公寓（可拎包入住），协助解决子女入学，享六险两金、带薪年假、职工食堂、年度体检等。 · 职业发展：特别研究助理期满，可申请事业编制岗位，特别优秀的可申报中国科学院人才计划，科研经费支持最高可达800万；通过博士后渠道解决配偶子女北京市户口。