任职要求:1. 岗位职责:1.负责CFET器件关键工艺、集成技术研发;2.负责高迁移率沟道器件、异质CFET等新型器件及集成技术研发;3.负责纳米器件电学特性测试分析及优化;4.参与相关科研项目申请、报告、结题等工作。2. 岗位要求:电子类相关专业,硕士及硕士以上学历;工作态度认真负责,做事积极主动,具有较强沟通、学习和动手能力,工作认真负责、善于学习、具有良好的团队合作精神;对半导体器件和工艺有深入的理解,熟悉纳米CMOS集成工艺,具备CMOS器件电学性能分析和优化能力;有半导体器件和工艺研发经验者优先。(一)具有良好的政治素质和道德品行;(二)符合招聘岗位所需的学历学位、专业或技能条件(扫描二维码下载)(三)学风端正,科学态度严谨,爱岗敬业;(四)具有正常履行职责的身体条件和心理素质;(五)按中科院有关规定执行亲属回避制度。
福利待遇:(一)科研、支撑岗位·事业平台:提供一流的科研平台,广阔的发展空间,积极推荐并协助申请基金委青年基金、优青项目、中科院青促会会员等。·薪酬待遇:提供有竞争力的薪酬待遇。·福利保障:为符合条件的职工解决本人、配偶及子女北京市户口,可申请人才公寓,协助解决子女入学,享六险两金、带薪年休假、职工食堂、年度体检等。·职业发展:配套完善的职业发展体系和培训体系,提供出国留学和海外名校访问、深造机会,畅通的岗位晋升通道。(二)中国科学院特别研究助理岗位(博士后)·事业平台:提供完备的科研条件,积极推荐并协助申请“博新计划”、中科院特别研究助理资助项目等。·薪酬待遇:年薪一般为30 - 40万元,特别优秀者可按一人一策原则确定,上不封顶。·福利保障:提供人才公寓(可拎包入住),协助解决子女入学,享六险两金、带薪年假、职工食堂、年度体检等。·职业发展:特别研究助理期满,可申请事业编制岗位,特别优秀的可申报中国科学院人才计划,科研经费支持最高可达800万;通过博士后渠道解决配偶子女北京市户口。