任职要求
1. 基本条件
(1)拥护中国共产党的领导,热爱祖国,遵纪守法,恪守学术道德和科研诚信;
(2)具有强烈的创新意识、严谨的科研作风、高度的责任心和团队协作精神;
(3)原则上不超过35周岁(特别优秀者可适当放宽);
(4)获得博士学位不超过3年(含应届博士毕业生)。
2. 学历与资历要求
(1)海内外知名高校或科研机构博士学位;
(2)近三年科研成果需满足以下条件之一:
a. 理工科(材料类除外):以第一作者或通讯作者在本领域SCI一区/TOP期刊发表高水平论文≥3篇;
b. 材料类学科:以第一作者或通讯作者在本领域SCI一区/TOP期刊发表高水平论文≥5篇;
(3)其他突出业绩(满足任意一项可适当放宽论文要求):
a. 主持国家自然科学基金青年项目或省部级重点科研项目;
b. 作为第一发明人获授权发明专利≥2项,或实现关键技术转化并产生显著效益(需提供证明);
c. 研究成果获得省部级科技奖励(排名前5),或同等层次学术荣誉;
3.优先考虑条件
(1)已达到"博士后创新人才支持计划"(博新计划)申报条件,或入选同层次人才计划者;
(2)具有跨学科研究背景或国际知名研究机构连续一年以上研究经历者;
(3)在重大科研项目或关键技术攻关中发挥核心作用,并取得突出业绩者
注:对在关键技术领域(如高端仪器研发、卡脖子技术攻关)有突出贡献者,可突破部分硬性条件限制。
仪器科学与技术、电气工程、机械工程、电子科学与技术、通信工程、材料科学与工程、电磁场与微波技术、信息与通信工程、控制科学与工程、计算机科学与技术、测控技术与仪器、自动化等。
研究员/副研究员岗位:要求在主动磁补偿技术(如高精度线圈设计、磁补偿控制算法)、被动磁屏蔽技术(如磁材料研发、屏蔽结构设计)、主被动结合磁屏蔽技术(如耦合机制分析、解耦设计)、高性能消磁技术(如消磁电源设计、分布式消磁方法)等方向有相关研究经验;博士后创新人才支持计划和中国科协青年托举项目入选者优先
研究方向、招聘方向、学科要求、专业:重点招聘海内外优秀人才开展如下研究:①围绕量子传感核心波段(795nm、780nm、894nm等)半导体激光芯片开展基础理论创新研究,探索不同构型芯片的光子调控核心机制与性能优化基础原理,涵盖 DFB、DBR及 VCSEL等典型构型;②聚焦半导体激光芯片领域核心基础科学问题,深入研究材料能带精细结构调控规律、光子噪声产生与抑制机理、光场传输及损耗本质特性,构建芯片性能与量子传感应用需求的基础理论匹配模型③基于量子传感对光源线宽、噪声水平的严苛要求,开展创新型光芯片设计的基础原理研究,探索材料优化、结构创新等技术路径的理论支撑,为量子传感系统核心光源的基础理论突破提供支撑。
福利待遇
1. 参照国内外一流研究院所,为百里挑一的就职人才提供有国际竞争力的薪酬和福利待遇。
2. 对新引进符合条件的硕士、博士提供国际人才公寓。
3. 积极保障就职人才子女就学,重点人才重点保障,为就职人才解除后顾之忧。
4. 对人才落户、补贴申领、人才认定等,研究院将提供一站式服务,助力就职人才开启全新研究院生活。