理聘网-职位详情页，博士后-深紫外光电器件、功率电子器件设计与制备

任职要求 1. 具有良好的思想政治素质和品德学风； 2. 已取得或即将取得材料科学、微电子、物理、电子工程等相关专业博士学位，获得博士学位一般不超过3年； 3. 年龄在35周岁（含）以下,身心健康； 4. 具有宽禁带半导体（GaN、SiC等）研究经验，以第一作者发表过高水平学术论文，具备独立科研能力和团队协作精神。 福利待遇 1. 基本年薪：20 - 50万元/年（含厦门大学博士后基础年薪、课题组绩效及省市补贴）；合作导师可根据博士后科研能力及表现，进一步追加配套，上不封顶。 2. 科研支持：提供充足科研经费，支持申报国家“博新计划”、博士后科学基金等； 3. 福利保障：享受厦门大学教职工同等社保、公积金、子女入学待遇；可选择入住校内博士后公寓（校园内，临近幼儿园、超市等生活配套设施） 4. 职业发展：出站后表现优异者可推荐留校任教或推荐至国内外顶尖机构深造。 5. 其他待遇：享受五险一金、健康体检、工会福利等。