任职要求:
1. 具有博士学位,品学兼优,身心健康;
2. 具有材料、物理、光电、化学等学科背景;
3. 近三年曾作为第一作者至少发表了1篇具有一定影响力的研究论文;
4. 具有良好的英语听说读写能力;
5. 近五年内获得博士学位,品学兼优,身心健康,年龄原则上不超过35周岁;
6. 熟悉碳化硅(SiC)的缺陷工程的表征技术者优先。
福利待遇:
1.根据科研工作能力提供具有竞争力的薪酬(含地方政府人才补助),具体面议(应届博士毕业生另可获得杭州市应届生生活补贴10万元);
2.对获得中国博士后科学基金资助和省级博士后科研项目资助的,杭州市、萧山区分别给予相应配套资助;
3.提供一流的实验与科学研究条件;
4.协助申请杭州市、萧山区人才配套用房;
5.工作期间表现优秀、业绩突出者,如符合相应要求,可优先推荐申请科创中心“求是科创学者”岗位或技术开发岗位;
6.在站期间,符合条件者可申报科创中心相关系列高级专业技术职务;出站优秀者入职科创中心的可认定副研究员职称,并可获得地方政府80万人才补贴。