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任职要求： 1. 研究方向为片上集成光学器件、二维材料忆阻器的类脑芯片、集成电路设计与制造、光电调制器件等（不局限下列）。 2. 年龄原则上不超过40周岁，具有博士学位，从事前瞻性、创新性研究，学术业绩突出，在教学科研方面已取得较为突出的代表性研究成果，能够在基础理论、应用基础或技术开发等领域继续潜心钻研，在所从事领域具有一定的学术地位，曾任知名高校（含知名研究机构）高级专业技术职务，具有成为国家级青年人才和省部级人才的发展潜力，在相关研究方向上能协助本学科赶超或达到国内先进水平；或年龄原则上不超过35周岁，具有博士学位，创新思维活跃，具有扎实的学术基础，已取得较为优秀的学术成果，能通过学校学术评审，具有成为优秀教学科研人才潜质的青年人才。 福利待遇： 1. 第四层次：（一）学校支持政策：1. 安家费：不低于50万元（税前）；2. 科研启动费：理工科类不低于30万元，人文社科类不低于20万元；3. 根据学校相关办法，可享受校内周转房租住或房租补贴；（二）广西青苗人才普惠性支持政策（35岁以下）：1. 生活补助：10万元；2. 科研启动经费资助：自然科学领域30万元/人，社会科学领域10万元/人。 2. 第五层次：（一）学校支持政策：1. 安家费：10万 - 35万元（税前）；2. 科研启动费：理工科类10万 - 20万元，人文社科类5万 - 15万元；3. 根据学校相关办法，可享受校内周转房租住或房租补贴；4. 年收入不低于18万元+贡献绩效。（二）广西青苗人才普惠性支持政策（35岁以下）：1. 生活补助：10万元；2. 科研启动经费资助：自然科学领域30万元/人，社会科学领域10万元/人。