研究方向:集成电路先进封装、MEMS、PMUT。
招收条件:
1.具有良好的思想政治素质和品德学风,身心健康;
2.年龄一般不超过35周岁;符合国家政策的,可予以适当放宽;
3.已获得或即将获得博士学位,获得博士学位一般不超过3年;
4.具有良好的科研潜力和较强的创新能力,对科研事业怀有高度热情;
5.符合流动站制定的其他招收条件;
6.拥有微电子、MEMS、电磁场与微波、电化学等相关专业背景;
7.在国际主流学术刊物以第一作者发表过高质量论文 ,能独立从事研究工作。
支持政策:
1.工资福利:提供具有竞争力的校发工资、社会保险及公积金,另可按政策叠加享受国家、省市项目资助或人才补贴;
2.住房:提供校内博士后公寓(临近幼儿园、超市等)或租房补贴;
3.子女:享受幼儿园至初中优质教育服务;
4.国际交流:支持博士后出国(境)开展学术交流、合作研究;
5.职业发展:在站期间可提前申请教职、申报人才项目;
6.其他:享受教职工年度医疗体检、工会福利等。
岗位职责:
1.电子电镀机理及电镀槽体设计 ,包括流场、电场、电化学浓度场的数值仿真方法及物理量测量 ,设计、加工及测试方法等;
2.键合机理及键合设备设计,包括键合机理、工艺、物理量测量及数值仿真方法,键合设备设计、加工及测试等;
3.微流道散热机理及散热器制造 ,包括流场、温度场数值仿真方法,3D集成散热设计、制造、测试及优化等;
4.射频微系统集成,包括硅基、玻璃基射频集成工艺,电- 热-力耦合行为与协同优化等;
5.微纳传感器设计、制造及集成,包括压电传感器、气体传感器、植入传感器设计、制造、集成、测试及优化等;
6.先进封装的电-热-力建模与仿真技术,包括包含RDL、三维互连结构的大尺寸跨度集成芯片模块的电 -热-力耦合仿。