岗位方向：半导体器件设计与封装测试 岗位职责描述： 1.开展GaN、AlN、金刚石等宽禁带/超宽禁带半导体射频器件研究，参与半导体基础理论研究，负责射频晶体管、光电器件的仿真设计、外延生长、异质键合、结构设计、工艺设计、散热设计、制版流片、封装、测试建模、机理研究、验证评估等； 2.参与半导体器件设计、封装与测试建模研究课题，完成相关任务； 3.根据任务要求，负责相关实验。 任职要求: 1.应届博士毕业生，或取得国内外知名院校博士学位不超过3年，年龄不超过35岁（特别优秀者，可适当放宽）； 2.具有所学专业方向扎实的科研基础、优秀的科研能力、强烈的学习愿望； 3.具有本领域半导体材料生长与射频器件设计、制造等相关领域研究经验者优先； 4.具有良好的沟通能力、表达能力、团队协作能力，能够独立开展科研工作。 专业:电子科学与技术、微电子与固体电子学、兵器科学与工程、集成电路、半导体器件、半导体薄膜材料等相关专业 招聘方式:博士后