岗位职责： 1.负责硅基衬底上外延GaAs、InP、GaN、AlN等Ⅲ/Ⅴ族半导体材料，以及硅基外延Ge、石墨烯等Ⅳ族半导体材料的战略研究和发展规划； 2.在科研能力建设、技术团队培养、创新实践合作等方面发挥引领作用，积极申报并主持国家重大、重点科研项目； 3.积极申请国家及省部级人才计划（项目）和成果奖励，提升实验室科研水平与国内外影响力。 任职要求： 1.具有博士学位； 2.具有8年以上硅基异质外延材料与器件相关研究经历，在硅基异质外延材料与器件领域取得过具有行业影响力的标志性成果； 3.能够准确把握学科动态和发展方向，具有优秀的团队管理能力。 招聘基本条件： 1.具有突出的创新能力和发展潜力；具有远大的学术志向、求是的创新精神、卓越的科研能力和社会责任感； 2.身体健康，心理素质良好，具有较好的学习能力和抗压能力； 3.具有岗位所需的专业知识和相关经验； 4.原则上年龄不超过35周岁（1989年1月1日后生），领军人才年龄不超过45周岁（1979年1月1日后生），特别优秀的可适当放宽。 福利待遇： 1.有竞争力的薪酬：应届博士毕业提供年薪40万起。 2.优质科研条件：配备一流的科研条件保障，提供充足稳定的科研经费支持。 3.良好成长生态：优先支持申报各级各类人才项目，纳入实验室科研评聘体系。 4.配套政策保障：提供过渡人才公寓保障，协助解决子女入学等生活需求；提供五险一金、节日福利、年度体检与度假等福利待遇。