岗位职责:
1.结合半导体器件制备经验,使用国际主流半导体器件计算机辅助设计软件,完成纤锌矿宽禁带铁电材料的FeFET和FeCAP的器件建模、TCAD仿真验证工作;
2.完成纤锌矿FeFET和FeCAP中掺杂浓度、薄膜组分、薄膜厚度、矫顽电场等DOE设计、TCAD仿真验证、数据分析、指导实验计划的工作;
3.完成一整套的纤锌矿FeFET和FeCAP阵列的结构设计、工艺集成、电学测试方法和器件阵列一致性检测的模拟仿真工作;
4.协助纤锌矿宽禁带铁电材料研究方向负责人完成相关科研项目的规划布局、平台建设、技术攻关等工作;
5.完成纤锌矿宽禁带铁电材料研究方向负责人交办的其他事务。
任职要求:
1.具有博士学位,材料科学、半导体技术、微电子科学、材料物理与化学等相关专业;
2.具有3-5年半导体新型器件微纳制备经验;
3.在宽禁带铁电材料FeFET和FeCAP相关领域范围内具有相关研究经验或突出特长,取得过重要成果;
4.具有海外学习工作经历者、工业界工作经验者、国际先进研究单位(比利时IMEC、新加坡IME、法国CEA Leti、美国3D铁电中心、德国弗朗霍斯特研究中心等)经验者优先。
招聘基本条件:
1.具有突出的创新能力和发展潜力;具有远大的学术志向、求是的创新精神、卓越的科研能力和社会责任感;
2.身体健康,心理素质良好,具有较好的学习能力和抗压能力;
3.具有岗位所需的专业知识和相关经验;
4.原则上年龄不超过35周岁(1989年1月1日后生),领军人才年龄不超过45周岁(1979年1月1日后生),特别优秀的可适当放宽。
福利待遇:
1.有竞争力的薪酬:应届博士毕业提供年薪40万起。
2.优质科研条件:配备一流的科研条件保障,提供充足稳定的科研经费支持。
3.良好成长生态:优先支持申报各级各类人才项目,纳入实验室科研评聘体系。
4.配套政策保障:提供过渡人才公寓保障,协助解决子女入学等生活需求;提供五险一金、节日福利、年度体检与度假等福利待遇。