岗位职责:
1. 硅基、Ⅲ-V族半导体和铌酸锂薄膜光电子芯片的研发,负责芯片设计、流片制备与封装测试;
2. 硅基异质集成技术研发(Ⅲ-V族-硅基,Ⅲ-V族与铌酸锂薄膜),负责异质集成的方案设计与技术验证;
3. 光电子芯片在通信与光谱传感领域的应用研究,负责样机设备的开发;
4. 积极申请科研经费,撰写发明专利和学术论文。
任职要求:
1. 已获得或即将获得光学、电子、材料、物理等相关专业博士学位(特别优秀者可放宽至硕士学位);
2. 熟悉光电子领域,能熟练使用FDTD、多物理场等仿真设计软件;
3. 熟悉光电子芯片、具有半导体工艺经验者优先考虑;
4. 具有良好的英文阅读、写作和口头表达能力,以第一作者身份发表过英文学术论文;
5. 具备良好的沟通能力和团队协作能力。
薪酬范围:20-40W/年