基本条件:年龄不超过35周岁; 已取得或即将取得博士学位
(1)科研岗研究领域
MEMS/ CMOS器件、射频电路仿真及芯片设计、3D异质封装;IGZO硅基三维集成及类脑芯片、单晶铌酸锂器件开发;三维结构建模、超快激光精密加工、多功能超快光谱仪研发、微纳尺度原位测量、超快激光加工材料;新型多相催化材料;二次电池、碳材料精准制备;有机合成、高分子聚合;数字化学、光催化有机合成;碳纳米管材料;金刚石制备及光学应用;结构陶瓷材料;微米材料、石英材料、纳米材料;CVD制备SiC,TaC等涂层材料;光电子芯片仿真设计、半导体光电子物理建模仿真;类器官培养再生,类器官芯片制作;数字人真实性探究;新型拓扑结构电机电磁运行原理、电驱系统新型控制算法;大功率/高频电力电子系统、功率器件多物理场模型;集成电路互联Cu薄膜材料、集成电路低温异质键合技术。
(2)管理岗研究领域
科技管理、人力资源管理、项目管理等方向,专业不限,理工科优先。