任职要求:
一、招收条件
1.具有良好品德学风,恪守学术道德规范,身心健康;
2.年龄一般不超过35周岁;
3.获得博士学位时间一般不超过3年;
4.符合流动站规定的其他进站条件。
二、研究方向
1.宽禁带半导体材料外延生长与缺陷调控;2.深紫外光功率、功率电子器件设计与制备;3.半导体材料与器件的理论模拟与表征
三、招收条件
1.具有良好的思想政治素质;
2.取得或即将取得材料、微电子、物理、电子工程等专业博士学位,获得博士学位一般不超过3年,年龄在35周岁(可适当放宽)以下;
3.具有宽禁带半导体导体研究经验,以第一作者发表过高水平学术论文。
四、岗位职责
开展宽禁带半导体材料及器件研究,协助指导研究生
研究方向:
1.宽禁带半导体材料外延生长与缺陷调控;2.深紫外光功率、功率电子器件设计与制备;3.半导体材料与器件的理论模拟与表征
福利待遇:
1.提供年薪、公积金及社会保险等待遇:全职博士后至少18万元、项目博士后24-44万元;另可按规定享受厦门市政策性补贴;
2.可按规定申请参评助理研究员、副研究员等专业技术职务任职资格;
3.支持博士后赴国(境)外高水平高校或科研机构开展学术交流;
4.提供校内博士后公寓(临近幼儿园、超市),未租住的可享受租房补贴;
5.享受健康体检、职工互助医疗保险、工会节日慰问等教职工福利;
6.解决子女入托、入学问题;