任职要求:
1、博士学位。申请副研究员年龄一般不超过45岁。特别优秀者可适当放宽年龄要求。
2、在海内外知名高校、科研院所、国际知名企业有学习及工作经历;在工程技术领域从事研究及开发工作,掌握重要实验技能,有团队合作精神,有器件工艺或AI研究背景者优先。
3、研究方向:碳基及新沟道半导体材料生长及表征;新结构及异质结电子器件;逻辑电路仿真与设计;先进技术节点CMOS工艺和器件;射频电子器件及电路;集成电路互联技术及三维集成。
4、研究系列提供极具竞争力的货币化薪酬及其他福利与绩效奖励等。
研究方向:
研究方向:碳基及新沟道半导体材料生长及表征;新结构及异质结电子器件;逻辑电路仿真与设计;先进技术节点CMOS工艺和器件;射频电子器件及电路;集成电路互联技术及三维集成。