理聘网-职位详情页，海外优青（电子与集成电路学院）

项目简介： 国家自然科学基金优秀青年科学基金项目(海外)旨在吸引和鼓励在自然科学、工程技术等方面已取得较好成绩的海外优秀青年学者(含非华裔外籍人才)回国(来华)工作，自主选择研究方向开展创新性研究，促进青年科学技术人才快速成长，培养一批有望进入世界科技前沿的优秀学术骨干，为科技强国建设贡献力量。 支持待遇： 1.国家支持 提供100-300万元资助支持，资助期限为3年。 2.学校支持 （1）经同行学术评价，聘为学校高层次人才系列相应职位。 （2）学校提供极具国际竞争力的薪酬福利待遇，配套相应科研启动经费及购房安家补贴等。 （3）根据研究需要为项目获得者组建相应的研究团队，并提供充足的实验室空间。 （4）根据学校政策，协助安置配偶工作和子女入托入学。 申报条件： 1.申请人应当具备以下条件： （1）遵守中华人民共和国法律法规，具有良好的科学道德，自觉践行新时代科学家精神； （2）出生日期在1986年1月1日(含)以后； （3）具有博士学位； （4）研究方向主要为自然科学、工程技术等； （5）在取得博士学位后，一般应在海外知名高校、科研机构、企业研发机构等获得正式教学或者科研职位，且具有连续36个月以上工作经历；在海外取得博士学位且业绩特别突出的，可适当放宽工作年限要求(不适用于通过中外联合培养方式取得海外博士学位的情况)； （7）取得同行专家认可的科研或技术等成果，且具有成为该领域学术带头人或杰出人才的发展潜力； （8）申请人尚未回国（来华），或者2025年1月1日以后回国（来华）工作。获资助通知后须辞去海外工作并全职回国（来华）工作不少于3年。 2.限项要求 执行国家科技人才计划统筹衔接的相关要求。同层次国家科技人才计划只能承担一项，同一申报年度一人只能申请一项，不能逆层次申请。具体条件请参考国家自然科学基金优秀青年科学基金项目(海外)项目指南 招聘方向： 1.三维集成芯片设计 2.先进封装与与异质异构集成技术 3.智能MEMS传感器技术 4.集成光子芯片技术 5.太赫兹与量子电磁器件技术 6.多场复合微能源芯片技术 关键词： 三维集成芯片设计、三维集成封装、异质异构集成、先进微纳加工、硅基/压电/磁电MEMS、光电集成芯片、太赫兹器件、量子电磁器件、微能源芯片、集成电路、集成微系统、异质集成、先进封装、混合封装、三维集成、微机电系统、纳机电系统、压电薄膜、集成光学、集成光电子、铌酸锂、硅光、太赫兹、超表面